PMZB200UNEYL - MOSFET N-CH 30V SOT883

Número de pieza del fabricante

PMZB200UNEYL

Número interno de parte

AX-PMZB200UNEYL

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V SOT883

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6417880 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.043716~~

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Especificaciones para PMZB200UNEYL

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMZB200UNEYL

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V SOT883

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.4A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 89pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 350mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN1006B-3

Paquete / Caja : 3-XFDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMZB , PMZB20

Documentos para PMZB200UNEYL

Hojas de datos : PMZB200UNEYL.pdf

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