SUD50N03-11-E3 - MOSFET N-CH 30V 50A TO252

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
11968 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para SUD50N03-11-E3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SUD50N03-11-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1130pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Documentos para SUD50N03-11-E3

Hojas de datos : SUD50N03-11-E3.pdf

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