IXTH1N200P3 - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Número de pieza del fabricante

IXTH1N200P3

Número interno de parte

AX-IXTH1N200P3

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

73865 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.798~~

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Especificaciones para IXTH1N200P3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTH1N200P3

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 2000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 646pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247 (IXTH)

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXTH1N200P3

Hojas de datos : IXTH1N200P3.pdf

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