PHT6NQ10T,135 - MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1408025 Pieces
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Especificaciones para PHT6NQ10T,135
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : PHT6NQ10T,135
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Serie : TrenchMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 633pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SC-73
Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para PHT6NQ10T,135
Hojas de datos : PHT6NQ10T,135.pdf
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