PHT6NQ10T,135 - MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Número de pieza del fabricante

PHT6NQ10T,135

Número interno de parte

AX-PHT6NQ10T,135

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1408025 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para PHT6NQ10T,135

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PHT6NQ10T,135

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 633pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SC-73

Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PHT6NQ10T,135

Hojas de datos : PHT6NQ10T,135.pdf

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