SI3586DV-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
28875 Pieces
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Especificaciones para SI3586DV-T1-E3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI3586DV-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Potencia - max : 830mW
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI3586DV-T1-E3
Hojas de datos : SI3586DV-T1-E3.pdf
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