QS8K11TCR - 4V DRIVE NCHNCH MOSFET
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-QS8K11TCR
Fabricante
Breve descripción
4V DRIVE NCHNCH MOSFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1588600 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para QS8K11TCR
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
QS8K11TCR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
4V DRIVE NCHNCH MOSFET
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
-
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
3.3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
180pF @ 10V
Potencia - max :
1.5W
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor :
TSMT8
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para QS8K11TCR
Hojas de datos :
QS8K11TCR.pdf
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