2SK2009TE85LF - MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Número de pieza del fabricante

2SK2009TE85LF

Número interno de parte

AX-2SK2009TE85LF

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2493235 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para 2SK2009TE85LF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 2SK2009TE85LF

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50MA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 70pF @ 3V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 200mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SC-59-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 2SK2009TE85LF

Hojas de datos : 2SK2009TE85LF.pdf

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