RW1A025APT2CR - MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
6185275 Pieces
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Especificaciones para RW1A025APT2CR
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
RW1A025APT2CR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Not For New Designs
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2000pF @ 6V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-WEMT
Paquete / Caja :
SOT-563, SOT-666
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para RW1A025APT2CR
Hojas de datos :
RW1A025APT2CR.pdf
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