SSM6J213FE(TE85L,F - MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Número de pieza del fabricante

SSM6J213FE(TE85L,F

Número interno de parte

AX-SSM6J213FE(TE85L,F

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4723300 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.0594~~

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Especificaciones para SSM6J213FE(TE85L,F

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SSM6J213FE(TE85L,F

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Serie : U-MOSVI

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 290pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : ES6

Paquete / Caja : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SSM6J213FE(TE85L,F

Hojas de datos : SSM6J213FE(TE85L,F.pdf

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