IPD60N10S4L12ATMA1 - MOSFET N-CH TO252-3

Número de pieza del fabricante

IPD60N10S4L12ATMA1

Número interno de parte

AX-IPD60N10S4L12ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH TO252-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

868780 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.322938~~

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Especificaciones para IPD60N10S4L12ATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPD60N10S4L12ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH TO252-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 46µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3170pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 94W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO252-3-313

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPD60N10S4L12ATMA1

Hojas de datos : IPD60N10S4L12ATMA1.pdf

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