NGTD8R65F2WP - DIODE GEN PURP 650V DIE

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 650V DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
868100 Pieces
Precio de referencia
USD 0.32319
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Especificaciones para NGTD8R65F2WP

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NGTD8R65F2WP
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : DIODE GEN PURP 650V DIE
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 650V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : -
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 2.8V @ 30A
Velocidad : -
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 650V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : Die
Paquete del dispositivo del proveedor : Die
Temperatura de funcionamiento - Unión : 175°C (Max)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : NGTD , NGTD8R

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Hojas de datos : NGTD8R65F2WP.pdf

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