NVMFS5C682NLWFAFT1G - MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1276735 Pieces
Precio de referencia
USD 0.21975
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Especificaciones para NVMFS5C682NLWFAFT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NVMFS5C682NLWFAFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.8A (Ta), 25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 16µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 410pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : NVMFS5C682NLWFAFT1G.pdf

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