APTM10HM19FT3G - MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
14368 Pieces
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Especificaciones para APTM10HM19FT3G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : APTM10HM19FT3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5100pF @ 25V
Potencia - max : 208W
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : SP3
Paquete del dispositivo del proveedor : SP3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para APTM10HM19FT3G
Hojas de datos : APTM10HM19FT3G.pdf
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