VP2110K1-G - MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1031785 Pieces
Precio de referencia
USD 0.27192
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Especificaciones para VP2110K1-G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : VP2110K1-G
Fabricante : Microchip Technology
Descripción : MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 60pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : VP2110K1-G.pdf

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