MT47H512M4EB-25E:C TR - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Número de pieza del fabricante

MT47H512M4EB-25E:C TR

Número interno de parte

AX-MT47H512M4EB-25E:C TR

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

51330 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para MT47H512M4EB-25E:C TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MT47H512M4EB-25E:C TR

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR2

Tamaño de la memoria : 2Gb (512M x 4)

Frecuencia de reloj : 400MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 400ps

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 60-TFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 60-FBGA (9x11.5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MT47H51 , MT47H512M4

Documentos para MT47H512M4EB-25E:C TR

Hojas de datos : MT47H512M4EB-25E:C TR.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
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CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
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WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
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WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
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