BUK9Y12-55B,115 - MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK

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Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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1-2 días
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1191925 Pieces
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Especificaciones para BUK9Y12-55B,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BUK9Y12-55B,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 61.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 5V
Vgs (Max) : ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2880pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 106W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : BUK9Y12-55B,115.pdf

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