STB6NK60Z-1 - MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK

Número de pieza del fabricante

STB6NK60Z-1

Número interno de parte

AX-STB6NK60Z-1

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

429235 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para STB6NK60Z-1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STB6NK60Z-1

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK

Serie : SuperMESH™

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (Max) : 30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 905pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 110W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : STB , STB6N

Documentos para STB6NK60Z-1

Hojas de datos : STB6NK60Z-1.pdf

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