SI7322DN-T1-E3 - MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
576005 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para SI7322DN-T1-E3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI7322DN-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 750pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : SI7322DN-T1-E3.pdf

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