W979H6KBVX2E TR - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
148075 Pieces
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Especificaciones para W979H6KBVX2E TR
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : W979H6KBVX2E TR
Fabricante : Winbond Electronics
Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria : 512Mb (32M x 16)
Frecuencia de reloj : 400MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns
Tiempo de acceso : -
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 134-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 134-VFBGA (10x11.5)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para W979H6KBVX2E TR
Hojas de datos : W979H6KBVX2E TR.pdf
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