SI8406DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1850435 Pieces
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Especificaciones para SI8406DB-T2-E1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI8406DB-T2-E1
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 830pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Caja : 6-UFBGA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI8406DB-T2-E1
Hojas de datos : SI8406DB-T2-E1.pdf
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