DMN2005LP4K-7 - MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3899970 Pieces
Precio de referencia
USD 0.07194
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Especificaciones para DMN2005LP4K-7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : DMN2005LP4K-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descripción : MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 41pF @ 3V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : X2-DFN1006-3
Paquete / Caja : 3-XFDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : DMN2005LP4K-7.pdf

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