RFD16N06LESM9A - MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

Número de pieza del fabricante

RFD16N06LESM9A

Número interno de parte

AX-RFD16N06LESM9A

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

703885 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.398592~~

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Especificaciones para RFD16N06LESM9A

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RFD16N06LESM9A

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 16A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V

Vgs (Max) : +10V, -8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1350pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 90W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252AA

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RFD16N06LESM9A

Hojas de datos : RFD16N06LESM9A.pdf

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