RFD16N06LESM9A - MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
703885 Pieces
Precio de referencia
USD 0.398592
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Especificaciones para RFD16N06LESM9A

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RFD16N06LESM9A
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1350pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252AA
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : RFD1 , RFD16N0

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Hojas de datos : RFD16N06LESM9A.pdf

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