IRF5806 - MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF5806
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
64950 Pieces
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Especificaciones para IRF5806
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRF5806
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 594pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IRF5806
Hojas de datos : IRF5806.pdf
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