TPN22006NH,LQ - MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Número de pieza del fabricante

TPN22006NH,LQ

Número interno de parte

AX-TPN22006NH,LQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1465850 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.1914~~

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Especificaciones para TPN22006NH,LQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPN22006NH,LQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 710pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta), 18W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TPN22006NH,LQ

Hojas de datos : TPN22006NH,LQ.pdf

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