EGL41BHE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Número de pieza del fabricante

EGL41BHE3_A/I

Número interno de parte

AX-EGL41BHE3_A/I

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3793970 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.07395~~

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Especificaciones para EGL41BHE3_A/I

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EGL41BHE3_A/I

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 1A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 50ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V

Capacitancia a Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-213AB, MELF (Glass)

Paquete del dispositivo del proveedor : DO-213AB

Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para EGL41BHE3_A/I

Hojas de datos : EGL41BHE3_A/I.pdf

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