IRF7807D2 - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
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Especificaciones para IRF7807D2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRF7807D2
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Serie : FETKY™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Característica FET : Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IRF7807D2.pdf

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