TPH3208PD - GANFET N-CH 650V 20A TO220
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TPH3208PD
Fabricante
Breve descripción
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
51954 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para TPH3208PD
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TPH3208PD
Fabricante :
Transphorm
Descripción :
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
760pF @ 400V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220AB
Paquete / Caja :
TO-220-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TPH3208PD
Hojas de datos :
TPH3208PD.pdf
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