PMV130ENEA/DG/B2R - MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Número de pieza del fabricante

PMV130ENEA/DG/B2R

Número interno de parte

AX-PMV130ENEA/DG/B2R

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21882 Pieces

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Especificaciones para PMV130ENEA/DG/B2R

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMV130ENEA/DG/B2R

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 170pF @ 20V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-236AB

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMV13 , PMV130EN

Documentos para PMV130ENEA/DG/B2R

Hojas de datos : PMV130ENEA/DG/B2R.pdf

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