IPG20N04S4L11ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1012740 Pieces
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Especificaciones para IPG20N04S4L11ATMA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IPG20N04S4L11ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 15µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1990pF @ 25V
Potencia - max : 41W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TDSON-8-4
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IPG20N04S4L11ATMA1
Hojas de datos : IPG20N04S4L11ATMA1.pdf
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