IXFN55N50F - MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXFN55N50F
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
19696 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IXFN55N50F
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXFN55N50F
Fabricante : IXYS-RF
Descripción : MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Serie : HiPerRF™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 55A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6700pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227B
Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IXFN55N50F
Hojas de datos : IXFN55N50F.pdf
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