SQD35N05-26L-GE3 - MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Número de pieza del fabricante

SQD35N05-26L-GE3

Número interno de parte

AX-SQD35N05-26L-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

11936 Pieces

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Especificaciones para SQD35N05-26L-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQD35N05-26L-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1175pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 50W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252, (D-Pak)

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SQD35 , SQD35N05

Documentos para SQD35N05-26L-GE3

Hojas de datos : SQD35N05-26L-GE3.pdf

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