AS4C4M16SA-6BIN - IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
187685 Pieces
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Especificaciones para AS4C4M16SA-6BIN
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : AS4C4M16SA-6BIN
Fabricante : Alliance Memory, Inc.
Descripción : IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM
Tamaño de la memoria : 64Mb (4M x 16)
Frecuencia de reloj : 166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 2ns
Tiempo de acceso : 5.4ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 54-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 54-TFBGA (8x8)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para AS4C4M16SA-6BIN
Hojas de datos : AS4C4M16SA-6BIN.pdf
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