2SJ661-DL-1E - MOSFET P-CH 60V 38A

Número de pieza del fabricante

2SJ661-DL-1E

Número interno de parte

AX-2SJ661-DL-1E

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 38A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

352940 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para 2SJ661-DL-1E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 2SJ661-DL-1E

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 60V 38A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 38A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4360pF @ 20V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.65W (Ta), 65W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263-2

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 2SJ661-DL-1E

Hojas de datos : 2SJ661-DL-1E.pdf

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