IPS80R900P7AKMA1 - MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3

Número de pieza del fabricante

IPS80R900P7AKMA1

Número interno de parte

AX-IPS80R900P7AKMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

309670 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.906~~

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Especificaciones para IPS80R900P7AKMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPS80R900P7AKMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3

Serie : CoolMOS™ P7

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 110µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 350pF @ 500V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 45W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO251-3

Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPS80R900P7AKMA1

Hojas de datos : IPS80R900P7AKMA1.pdf

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