APTSM120AM09CD3AG - MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9070 Pieces
Precio de referencia
USD 369.53328
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Especificaciones para APTSM120AM09CD3AG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : APTSM120AM09CD3AG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 9mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1224nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 23000pF @ 1000V
Potencia - max : -
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : Module
Paquete del dispositivo del proveedor : Module
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : APTSM , APTSM120

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Hojas de datos : APTSM120AM09CD3AG.pdf

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