STFI11NM65N - MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP

Número de pieza del fabricante

STFI11NM65N

Número interno de parte

AX-STFI11NM65N

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

62145 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para STFI11NM65N

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STFI11NM65N

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP

Serie : MDmesh™ II

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 455 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 800pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAKFP (TO-281)

Paquete / Caja : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STFI11NM65N

Hojas de datos : STFI11NM65N.pdf

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