SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
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Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
271970 Pieces
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Especificaciones para SI8900EDB-T2-E1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI8900EDB-T2-E1
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Potencia - max : 1W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 10-UFBGA, CSPBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI8900EDB-T2-E1
Hojas de datos : SI8900EDB-T2-E1.pdf
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