SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
271970 Pieces
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Especificaciones para SI8900EDB-T2-E1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI8900EDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1.1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Potencia - max :
1W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
10-UFBGA, CSPBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI8900EDB-T2-E1
Hojas de datos :
SI8900EDB-T2-E1.pdf
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