FQB9N08LTM - MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Número de pieza del fabricante

FQB9N08LTM

Número interno de parte

AX-FQB9N08LTM

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

70145 Pieces

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Especificaciones para FQB9N08LTM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQB9N08LTM

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 4.65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 280pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.75W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263AB)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FQB , FQB9N

Documentos para FQB9N08LTM

Hojas de datos : FQB9N08LTM.pdf

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