IPD65R950CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
793110 Pieces
Precio de referencia
Nuestro precio
- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])
- AX Semiconductor tiene IPD65R950CFDBTMA1 en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para IPD65R950CFDBTMA1. Nuestro correo electrónico: [email protected]
- Opciones de envío y tiempo de envío:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- Opciones de pago:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
Especificaciones para IPD65R950CFDBTMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IPD65R950CFDBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Serie :
CoolMOS™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
14.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
380pF @ 100V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
36.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-TO252-3
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IPD65R950CFDBTMA1
Hojas de datos :
IPD65R950CFDBTMA1.pdf
Productos relacionados para IPD65R950CFDBTMA1 Infineon Technologies
| Número de pieza | Marca | Descripción | Comprar |
|---|---|---|---|
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 14KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 7600PF 14KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 7600PF 18KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 25PF 30KV. |
||
|
AVX Corporation |
CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 2200PF 14KV. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK. |
||
|
AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 14KV SCREW. |
||
|
Vishay Vitramon |
CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
||
|
AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 16KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 25KV SCREW. |