IRLW610ATM - MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Número de pieza del fabricante

IRLW610ATM

Número interno de parte

AX-IRLW610ATM

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

70010 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRLW610ATM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRLW610ATM

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 240pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.1W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK (TO-262)

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRLW610ATM

Hojas de datos : IRLW610ATM.pdf

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