RW1A030APT2CR - MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Número de pieza del fabricante

RW1A030APT2CR

Número interno de parte

AX-RW1A030APT2CR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4190020 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RW1A030APT2CR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RW1A030APT2CR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2700pF @ 6V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-WEMT

Paquete / Caja : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RW1A , RW1A03

Documentos para RW1A030APT2CR

Hojas de datos : RW1A030APT2CR.pdf

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