JANTXV2N6800 - MOSFET N-CH
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-JANTXV2N6800
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
18176 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para JANTXV2N6800
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
JANTXV2N6800
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
MOSFET N-CH
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/557
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
400V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
34.75nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-205AF (TO-39)
Paquete / Caja :
TO-205AF Metal Can
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para JANTXV2N6800
Hojas de datos :
JANTXV2N6800.pdf
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