PH5525L,115 - MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-PH5525L,115
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
62385 Pieces
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Especificaciones para PH5525L,115
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : PH5525L,115
Fabricante : NXP USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Serie : TrenchMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 81.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2150pF @ 12V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para PH5525L,115
Hojas de datos : PH5525L,115.pdf
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