H7N1002LSTL-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Número de pieza del fabricante

H7N1002LSTL-E

Número interno de parte

AX-H7N1002LSTL-E

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V LDPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21736 Pieces

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Especificaciones para H7N1002LSTL-E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : H7N1002LSTL-E

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET N-CH 100V LDPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 75A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9700pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 100W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-LDPAK

Paquete / Caja : SC-83

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : H7N1 , H7N100

Documentos para H7N1002LSTL-E

Hojas de datos : H7N1002LSTL-E.pdf

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