NTLJF3117PTAG - MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Número de pieza del fabricante

NTLJF3117PTAG

Número interno de parte

AX-NTLJF3117PTAG

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

51492 Pieces

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Especificaciones para NTLJF3117PTAG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTLJF3117PTAG

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 531pF @ 10V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : 710mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-WDFN (2x2)

Paquete / Caja : 6-WDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NTLJF3117PTAG

Hojas de datos : NTLJF3117PTAG.pdf

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