IRF7779L2TRPBF - MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Número de pieza del fabricante

IRF7779L2TRPBF

Número interno de parte

AX-IRF7779L2TRPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

172845 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.623138~~

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Especificaciones para IRF7779L2TRPBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF7779L2TRPBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 150V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 375A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6660pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET L8

Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric L8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRF7 , IRF7779

Documentos para IRF7779L2TRPBF

Hojas de datos : IRF7779L2TRPBF.pdf

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