FDFMA2P029Z-F106 - -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Número de pieza del fabricante

FDFMA2P029Z-F106

Número interno de parte

AX-FDFMA2P029Z-F106

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

-20V -3.1A 95 O PCH ER T

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1200155 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDFMA2P029Z-F106

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDFMA2P029Z-F106

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 720pF @ 10V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : 1.4W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-MicroFET (2x2)

Paquete / Caja : 6-VDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDFMA , FDFMA2P0

Documentos para FDFMA2P029Z-F106

Hojas de datos : FDFMA2P029Z-F106.pdf

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