IDC08S60CEX1SA2 - DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23254 Pieces
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Especificaciones para IDC08S60CEX1SA2
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IDC08S60CEX1SA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
Serie : CoolSiC™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 8A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F : 310pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : Die
Paquete del dispositivo del proveedor : Die
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IDC08S60CEX1SA2
Hojas de datos : IDC08S60CEX1SA2.pdf
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