IPB100N04S303ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Número de pieza del fabricante

IPB100N04S303ATMA1

Número interno de parte

AX-IPB100N04S303ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

331185 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.847134~~

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Especificaciones para IPB100N04S303ATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPB100N04S303ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9600pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 214W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO263-3-2

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPB100N04S303ATMA1

Hojas de datos : IPB100N04S303ATMA1.pdf

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