IXTM67N10 - POWER MOSFET TO-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXTM67N10
Fabricante
Breve descripción
POWER MOSFET TO-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
22701 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IXTM67N10
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IXTM67N10
Fabricante :
IXYS
Descripción :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
GigaMOS™
Estado de la pieza :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
67A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
4500pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-204AE
Paquete / Caja :
TO-204AE
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IXTM67N10
Hojas de datos :
IXTM67N10.pdf
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